Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    33 left arrow 35
    Por volta de -6% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.4 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 7.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.8 left arrow 16.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2126 left arrow 2988
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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