RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
34
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link