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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
34
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3895
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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