RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link