RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link