RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link