RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link