RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
4.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
7.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link