Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 36

Autour de 19% latence réduite

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.3 12.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.2 7.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2177 3169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns