RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 36

Rund um 19% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.3 12.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.2 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2177 3169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns