RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
4065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link