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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
4065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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