RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link