RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link