RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
26
Velocità di lettura, GB/s
12.1
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link