RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link