RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link