RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link