RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link