RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link