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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1740
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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