Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 31
    Wokół strony 6% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 5.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 10.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 5.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2423 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania