RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3465
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link