Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 31

Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 5.3

Среднее значение в тестах

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 10.4
Скорость записи, Гб/сек

9.0 5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 1740

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM