RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1512
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link