RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.9
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de -130% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
27
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link