RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
38
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link