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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 62
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1612 left arrow 2394

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