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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
44
周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
30
読み出し速度、GB/s
12.3
14.0
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1977
2716
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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