Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 34

Autour de 18% latence réduite

Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.4 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.0 7.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 8500

Autour de 2.26 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1668 3123

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns