Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 34
    Wokół strony 18% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.4 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.0 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8500
    Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 16.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 13.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1668 left arrow 3123
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania