RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3123
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link