RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3123
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link