RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link