RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link