RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link