Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 38

Autour de 26% latence réduite

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.2 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.3 7.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 8500

Autour de 2.51 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1668 2148

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns