RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3373
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link