RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3373
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link