RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link