RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
42
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
40
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1396
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link