RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1396
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link