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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
12.3
9.7
写入速度,GB/s
8.9
6.0
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1396
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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