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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2022
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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