RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
59
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
59
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2181
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link