RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
59
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
59
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2181
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link