RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
59
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
59
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2181
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link