RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
59
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
59
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2181
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link