RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link