RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
65
Autour de -91% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3187
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link