RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3187
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link