RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link